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科思特CS150M點(diǎn)蝕電位測(cè)試儀功能方法
穩(wěn)態(tài)極化:開路電位測(cè)量(OCP)、恒電位極化(I-t曲線)、恒電流極化、動(dòng)電位掃描(TAFEL曲線)、動(dòng)電流掃描(DGP) 暫態(tài)極化:任意恒電位階梯波、任意恒電流階梯波、多電位階躍(VSTEP)、多電流階躍(ISTEP) 伏安分析:線性掃描伏安法(LSV)#、線性循環(huán)伏安法(CV)、 腐蝕測(cè)量:動(dòng)電位再活化法(EPR)、電化學(xué)噪聲(EN)、電偶腐蝕測(cè)量(ZRA)、晶間腐蝕 電池測(cè)試:電池充放電測(cè)試、恒電流充放電 擴(kuò)展測(cè)量:圓盤電極測(cè)試
科思特CS150M點(diǎn)蝕電位測(cè)試儀硬件參數(shù)指標(biāo)
恒電位控制范圍:±10V
恒電流控制范圍:±2.0A
電位靈敏度:10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz)
電流靈敏度:1pA
電位控制精度:0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV
電流控制精度:0.1%×滿量程讀數(shù)
槽壓輸出:±21V (可擴(kuò)展至±200V)
電流掃描增量:1mA @1A/mS
參比電極輸入阻抗:1012Ω||20pF
較大輸出電流:2.0A
CA和CC脈沖寬度:0.0001~65000s
DPV和NPV脈沖寬度:0.0001~1000s
CV和LSV掃描速度:0.001mV~10000V/s
電位掃描電位增量:0.076mV @1V/mS
電位上升時(shí)間:﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A)
電流量程:2nA~2A, 共10檔
SWV頻率:0.001~100KHz
CV的較小電位增量:0.075mV
DA分辨率:16bit,建立時(shí)間:1μS
低通濾波器 :8段可編程
AD數(shù)據(jù)采集:16bit@1MHz,20bit @1KHz
電流與電位量程:自動(dòng)設(shè)置
通訊接口:USB2.0
儀器重量:6.5Kg
外形尺寸(cm):36.5(W)X30.5 (D)X16 (H)
科思特CS150M點(diǎn)蝕電位測(cè)試儀配置: 儀器主機(jī)1臺(tái) 電源線/USB數(shù)據(jù)線各1條 CorrTest測(cè)試與分析軟件1套 電極電纜線(含噪聲測(cè)量線)1條 模擬電解池1個(gè)(儀器自檢器件)
關(guān)鍵詞:武漢科思特、科思特CS150M、CS150M點(diǎn)蝕電位測(cè)試儀、點(diǎn)蝕電位測(cè)試儀、科思特CS150M點(diǎn)蝕電位測(cè)試儀
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